车规质检认证体系:IATF16949 / ISO9001 稳健运行
技术工程专线:400-880-9188 | 工作日 08:30 - 18:00 驻厂专家支持
首页|J9国际集团中国官网网站高精密硅晶圆制造产线
2026年车规级第三代碳化硅功率模块现已开放工程流片预约

高精密微电子研制
赋能下一代智能硬件底层动力

我们专注于深亚微米集成电路架构研发与功率半导体器件量产封测。依托多晶圆厂战略产能协同与自研低抖动模拟拓扑,实现高转换效率、极宽工作结温(-40℃至150℃)及高电磁兼容性,为全球装备制造商提供坚实的物理层算力与驱动基石。

99.82%
晶圆良品测试率
< 15ppm
终端出货失效率
AEC-Q100
车规级应力标准
车规级 SiC MOSFET 模组 现货试样
高纯度半导体单晶硅晶圆切片工艺特写
击穿电压: 1200V 内阻: 16mΩ Max 工作结温: 175℃
晶圆材料纯度 99.9999999% (9N)
封装形式 TO-247-4L / 模块化无感设计
锁定本批次试产配额
全栈半导体服务闭环

从硅基电路版图到先进模组封测的技术矩阵

首页|J9国际集团中国官网网站整合前端逻辑综合、掩模版图验证、晶圆代工协同及高端微组装产线,向工业控制与车载动力系统客户提供无缝衔接的软硬件半导体解决方案。

01

ASIC 定制设计

28nm - 90nm

基于 RISC-V 与 ARM 架构提供超低功耗数字逻辑、高信噪比模拟前端 IP 级定制,支持多通道高频信号采集。

02

晶圆级代工协同

8吋 / 12吋

与国内头部晶圆厂建立深度产能储备,覆盖 BCD、CMOS 与碳化硅外延工艺,保障高压高温恶劣环境下的器件稳定性。

03

车规级精密封装

SiP / BGA / QFN

提供金线键合、倒装焊(Flip-Chip)及系统级封装(SiP),有效抑制寄生电感,满足紧凑空间下的高散热诉求。

04

全温区可靠性验证

MIL-STD-883

自主建设高低温老化箱、静电放电(ESD)测试与振动应力实验室,实现每一颗出厂芯片的严苛物理级筛查。

工业级制造基石

首页|J9国际集团中国官网网站六大硬核支撑

在微电子制程不断逼近物理极限的当下,我们以纯正工业标准、专有热管理设计和全链路品质控制筑牢护城河。

AEC-Q100 Grade 1 车规认证

严格执行汽车电子委员会可靠性标准,满足 -40℃ 至 +125℃ 环境工作范围,抵御高压浪涌与发动机舱振动。

纳秒级动态响应拓扑

自研驱动保护核心,短路关断延迟小于 200ns,在逆变器发生突发瞬态冲击时瞬间保护敏感功率回路。

低结温热阻氮化镓工艺

利用直接敷铜(DBC)基板与银烧结互联工艺,热阻较传统焊料降低 40%,实现高功率密度超小封装。

自主 IP 库及安全加密

全系芯片硬件内嵌国密 SM2/3/4 加密引擎与物理不可克隆(PUF)密钥保护,彻底杜绝逆向仿冒隐患。

双重晶圆供应链韧性

部署多厂同版备选流片机制,核心通用模拟与逻辑器件常备 6 个月战略晶圆库存,确保供货稳定交付。

资深 FAE 工程师驻场协助

从原理图评审、PCB 差分阻抗调试到 EMC/EMI 认证测试,半导体工程师团队全程提供一对一技术协同。

高可靠半导体选型

主流在产芯片与智能功率模组

符合 RoHS 环保指令 / 提供完整引脚定义与 IBIS 仿真模型

首页|J9国际集团中国官网网站高集成模拟前端芯片 模拟与信号链

JT-AFE3208 高精度传感器接口芯片

封装:QFN-32 (5x5mm) | 工作温度:-40℃ ~ 125℃

内置 24 位高分辨率 Σ-Δ ADC,8 通道同步差分采样,集成可编程增益仪表放大器(PGA),失调电压漂移小于 0.1μV/℃。

在产供应 / 现货批次 索取规格书 →
车规级半导体碳化硅功率模块封装测试 第三代半导体功率

JT-SiC1200 全碳化硅半桥功率模块

封装:Easy-1B 优化结构 | 工作结温:-55℃ ~ 175℃

专为 800V 电驱架构设计,耐压 1200V / 连续电流 400A,超低寄生电感(<6nH),支持高达 100kHz 开关频率运行。

重点推介 / 批量投产 索取规格书 →
高算力微处理器MCU芯片主板 控制与运算

JT-MCU600 工业双核微控制器

封装:LQFP-144 / BGA-176 | 工作温度:-40℃ ~ 105℃

双核 300MHz 锁步运行,集成硬件 FPU、Cordic 算法加速器与 4 路增强型 CAN-FD 总线,专为伺服电机闭环与机器人控制定制。

工程样品开放申请 索取规格书 →
半导体制造微纳光刻车间
纳米级制造工艺

半导体晶圆光刻与精密封测全流程

每一颗商用半导体芯片均经过超过 400 道工序的物理加工与电性能洗礼,严苛的环境控制确保微观晶格的纯净与稳定。

01
高精密光罩与曝光

采用深紫外(DUV)光源与化学放大抗蚀剂,在超净千级环境下完成微米级电路图案在硅片表面的精准转移。

02
等离子刻蚀与离子注入

通过反应离子刻蚀(RIE)构建深沟槽绝缘隔离,结合高能杂质注入调整硅基载流子浓度,形成稳定的 PN 结特性。

03
晶圆减薄与高速划片

硅片通过化学机械抛光(CMP)减薄至 50μm 以内,采用无热应力隐形激光划片技术,彻底防止微裂纹沿晶界扩展。

04
热压键合与真空注塑

微米级高导电金线热压焊接,注入环氧模塑料进行无气泡封装,实现气密级防潮绝缘与机械冲击防护。

场景赋能

服务四大核心支柱产业

首页|J9国际集团中国官网网站产品针对高温、强振、高湿及极速响应的严苛工况设计,广泛嵌入核心高端装备主板。

新能源智能网联汽车

为主驱逆变器、车载充电机(OBC)、BMS 电池管理系统提供具备 ASIL-D 功能安全等级的高耐压开关与隔离采样芯片。

推荐方案:JT-SiC1200 + JT-AFE3208

高端工业自动化控制

面向多轴伺服驱动、工业变频器及 PLC 控制模块,提供高抗脉冲群干扰的模拟隔离运放与高响应实时微控制器。

推荐方案:JT-MCU600 工业闭环架构

数据中心与算力电源

适配大功率服务器机架钛金级(96%+ 效率)开关电源,显著削减电能转换过程中的无功损耗与机房制冷开销。

推荐方案:高频低损耗 GaN FET 级联

5G 通信与智能物联网

提供具备微安级待机功耗的无线物联网唤醒 SoC 及基站 AAU 射频前置低噪放大器,延长野外巡检终端工作年限。

推荐方案:微安级超低功耗射频模组
技术评测

半导体关键性能与常规方案实测对比

在标准第三方检测机构严苛实验环境下,针对导通电阻温升、耐瞬态电涌和无故障运行寿命进行对照测试。

常规行业通用方案

传统硅基 IGBT 与基础封装

  • ✕ 额定温升:满载持续运行时芯片温升达 +68℃
  • ✕ 抗干扰度:ESD 人体静电放电耐受为 2000V (Class 2)
  • ✕ 平均无故障工作时间(MTBF):约 120,000 小时
  • ✕ 开关转换损耗:高频 50kHz 下能量回冲热损耗明显
性能跃迁
首页|J9国际集团中国官网网站升级方案

碳化硅外延 + 纳米银烧结封装

  • ✓ 额定温升:相同负载下芯片温升仅 +39℃(降幅达42%)
  • ✓ 抗干扰度:ESD 接触放电耐受提升至 8000V (Class 3B)
  • ✓ 平均无故障工作时间(MTBF):达 350,000 小时
  • ✓ 开关转换损耗:支持零电压开关(ZVS),损耗降低 65%
发展脚印

首页|J9国际集团中国官网网站技术突破历程

专注中国高端微电子芯片研发与制造工程,稳扎稳打实现自主工艺闭环。

阶段里程碑一

高精度模拟芯片实验室流片一次成功

自主搭建 0.18μm BCD 工艺研发线,成功验证基准电压源与运算放大器核心 IP,各项电学参数均达到国际一线指标。

阶段里程碑二

建立 8 吋碳化硅功率器件合资封装产线

突破大尺寸 SiC 晶圆高温退火与欧姆接触工艺瓶颈,实现首款车规级 1200V 模块小批量试产并交付核心客户。

阶段里程碑三

通过国家级“专精特新”微电子企业认证

在车规级功率转换芯片与高可靠单片机领域累计获得 60 余项发明专利授权,建成符合 IATF16949 的可靠性测试中心。

持续演进中

向超结功率器件与 12 吋先进制程进军

推进更高密度晶圆三维堆叠封装研发,持续扩增年产 5000 万颗车规级芯片的量产产能。

1.2 亿+
累计出货芯片器件
85+
芯片相关发明专利储备
99.82%
批量晶圆综合良品率
600+
工业与车载领域合作品牌
产业实绩

深度赋能行业头部制造体系

首页|J9国际集团中国官网网站的芯片与器件已经在严苛工业母机、车载高压驱动和户外基站中平稳服役多年。

某主流新能源商用车动力总成配套项目 合作周期: 3年+

“在采用首页|J9国际集团中国官网网站的 1200V 碳化硅功率模块后,我们的牵引逆变器在极端高温爬坡测试中温升显著下降,综合电能转化效率提高 2.8%,在极低失效率下保障了整车三电系统的长质保承诺。”

T1
首席驱动电气工程师
Tier 1 电驱动研发中心
精密数控机床多轴伺服闭环改造项目 合作周期: 2年+

“该首页|J9国际集团中国官网网站的微控制器芯片与模拟隔离驱动在抗电磁脉冲方面表现极为出彩。我们产线在重型冲压机床高频震颤环境下连续运转超过 15,000 小时,未发生一次由于芯片误触发引起的停机事故。”

CNC
自动化系统总架构师
重型装备制造集团
技术前沿与研报

半导体集成电路行业研讨动态

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微电子前沿探索

高压大电流下碳化硅外延层缺陷控制与钝化工艺解析

针对基面位错(BPD)向肖特基结扩展的现象,探讨最新外延生长过程中气体流场调整与低温缓冲层对芯片反向漏电的影响。

封装技术演进

车规芯片系统级封装(SiP)中铜线键合与可靠性考量

分析高温高湿试验中金铝与铜铝界面柯肯达尔空洞形成机制,提出新型高纯钯包铜线对延长芯片寿命的技术路径。

标准与规范

满足 AEC-Q100 要求的模拟芯片静电放电(ESD)测试指南

细化 HBM、CDM 及机器模型在车载模拟前端芯片设计过程中的防护网络布局经验,规避引脚局部热击穿。

采购与试样解答

首页|J9国际集团中国官网网站常见问题

为您整理芯片样品申领、晶圆批次交期、知识产权保护及量产测试相关细则。

1. 申请芯片工程样品的流程和周期是多久?

在提交企业资质与明确应用项目后,我们技术团队会在 1 个工作日内完成审核。在库标准封装样品(如 QFN、TO-247)在 48 小时内发出;定制金属引线键合或非标打样需求,常规试产周期约为 2 至 3 周。

2. 公司在遭遇芯片供应链紧张时如何保障供货?

我们实施长效的晶圆常备库存机制与双晶圆代工厂认证策略。核心逻辑与功率器件均在两家不同地域的高规格产线完成设计固化,并常态化保持不少于 6 个月的晶圆战略库存,确保排产不受外界波动冲击。

3. 合作委托定制半导体芯片,知识产权如何界定?

针对客户委托的 ASIC 定制项目,双方在流片前签署严格的保密与 IP 归属协议。客户专有算法、专用数字模块与版图完全归客户所有,我们仅负责晶圆制造协调与封装测试工程落地,绝不侵犯客户资产。

4. 批量采购是否提供全套车规级可靠性试验报告?

全系车载产品均可提供 AEC-Q100 / AEC-Q101 认证报告、PPAP(生产件批准程序)三级文件、无卤素环保报告以及每一批次晶圆出厂电性能测试数据(CP/FT 测试分选报告)。

5. 小批量试产(Pilot Run)的起订门槛是多少?

为支持中小型创新科技团队快速完成整机原型验证,我们开放小批量试产绿色通道。标准封装芯片首批试产通常 1000 颗起订,模块级产品可根据打样开模协议灵活安排工程批次。

6. 现场调试遇到电磁干扰或发热异常,是否有工程师支持?

首页|J9国际集团中国官网网站拥有资深现场应用工程师(FAE)团队。客户遇到任何电路异响、EMI 认证超标或热衰减问题,我们支持远程逻辑分析仪波形诊断;重点项目 48 小时内派工程师携带测试仪器进驻现场协同攻坚。

直接对接原厂工程技术

索取芯片规格书
或申请工程评估样品

我们的现场应用工程师(FAE)与芯片架构师将根据您的主板电气需求,提供引脚定义、CAD 封装库、散热仿真方案及样品测试套件。

商务与样品专线: 400-880-9188
工程技术邮箱: [email protected]
芯片研发展区: 半导体微电子产业园晶圆大道8号
* 提交即代表同意双方遵守工程样件保密协定,信息仅用于芯片选型沟通与物流寄送。